SJ 50033.109-1996 半导体光电子器件GJ9031T、GJ9032T和GJ9034T型半导体激光二极管详细规范
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ID： |
0CB73A2457BF41F7B841B65FC73BB0E1 |
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文件大小(MB)： |
0.67 |
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13 |
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日期： |
2024-7-27 |
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SJ,中华人民共和国电子行业军用标准,FL 5980 SJ 50033/109-96,半导体光电子器件,GJ9O31T、GJ9032T 和 GJ9034T 型,半导体激光二极管详细规范,Semiconductor optoelectronic devices,Detail specification for types GJ9031T and,GJ9032T and GJ9034T semiconductor laser diodes,1996-08-30 发布1997-01-01 实施,中华人民共和国电子工业部批准,中华人民共和国电子行业军用标准,半导体光电子器件,GJ9031T.GJ9032T 和 GJ9034T 型,半导体激光二极管详细规范,SJ 50033/109-96,Semiconductor optoelectronic devices,Detail specification for types GJ9031T and,GJ9032T and GJ9034T semiconductor laser diodes,1范围,1.1 主题内容,本规范规定了 GJ9031T、GJ9032T和GJ9034T型半导体激光二极管(以下简称器件)的详,细要求,1.2 适用范围,本规范适用于器件的研制、生产和采购,1.3 分类,1.3.1 器件等级,本规范所提供的器件保证等级按GJB 33《半导体分立器件总规范》的规定,从低到高分为,普军级(GP)和特军级(GT)两级,2引用文件,GB 11499—89 半导体分立器件文字符号,GJB 33-85 半导体分立器件总规范,GJB 128-86 半导体分立器件试验方法,GJB 597-88 微电路总规范,SJ 2749-87 半导体二极管测试方法,SJ/Z 9014.2-87半导体器件 分立器件和集成电路第5部分:光电子器件,3要求,3.1 详细要求,各条要求应符合GJB 33和本规范的规定,3.2 设计、结构和外形尺寸,器件的设计与外形尺寸应符合GJB 33和本规范的规定,其芯片结构为双异质结增益波导,式。也可按合同要求提供不同于图1的外形尺寸(见6.2),中华人民共和国电子工业部!996-08-30发布 1997-01-01实施,1,SJ 50033/109-96,器件芯片材料为部化傢,3.2.2 引出端排列,管壳为负极,同轴引出线为正极,见图1,也可按用户要求排列（见6.2条）,3.2.3 封装形式,金属同轴带玻璃光窗,见图1,其中管帽是可伐合金,管座是无氧铜，封装形式也可按用户,要求（见6.2条）,3.3 引线材料及涂层,引线材料为可伐合金,引线涂层镀金,如果要求选择引线涂层,应在合同中规定（见6.2,条）,3.4 最大额定值和主要光电特性,3.4.1 最大额定值,2,下载,SJ 50033/109-96,型 号,Tg,t,ゼ,t,Vr2),V,【FPM,A,ルPM”,W,GJ 9031T,-55-100 -55-70 260,10.0 50.0 120,GJ 9032T 5.0 20.0 10,GJ 9034T 5,0 25.0 17,注:1）主管売的最短距离至少为5mm, t ：5s,2）Vr渕试条件;厶=100必,3）f；5kHz 0:1/1000,7^ = 2513,3.4.2 主要光电特性(711nb = 251),特性符号,测试条件,除非另有规定,f= 5kHz,D = 1/1000,极限值,单位,最小最大,正向电压,GJ 9031,VF If= A1f+ I(th),— 40.0 V,GJ 9032 一10.0 V,GJ 9034 一15.0 V,阀值电流,GJ 9031,low,12.0 A,GJ 9032 — 6.5 A,GJ 9034 一8.5 A,阀值时的福射功率,GJ9031,%TH) 1（1H）,— 1.00 W,GJ 9032 一0.07 W,GJ 9034 一0.15 W,超过阀值时的正向电流,GJ 9031,必,dep=100W 30.0 A,GJ 9032 4ep=7W 8.0 A,GJ 9034 ，ep= 15W 10.0 A,微分效率,GJ 9031,?d,ep=100W 8% 一—,GJ 9032 Mp = 7W 6% — 一,GJ 9034 ，ep=15W 7% 一—,垂直PN结的半强度角,GJ 9031,Hjj/z,如p= 100W — 30 (,),GJ 9032 ^ep = 7W 一50 (,),GJ 9034 4ep= 15W — 50 (,),3,SJ 50033/109-96,续表,特 性符号,测试条件,除非另有规定,f= 5kHz,D = 1/1000,极限值,单位,最小最大,平行PN结的半强度角,GJ 9031,H〃?2,如p= 100W 一20 (?,GJ 9032 %p = 7W 一20 (,),GJ 9034 ?ep=15W — 20 (,),微分电阻,GJ 9031,キ,如p=100W — 2.0 n,GJ 9032 如p=7W — 0.7 a,GJ 9034 %p=15W — 0.7 a,角偏差,GJ 9031,此,#ep=100W — 10 (,),GJ 9032 4ep=7W 一10 (,),GJ 9034 屍p=15W — 10 (,),峰值发射波长,GJ 9031,スP,^ep=100W 880 920 nm,GJ 9032 ^ep = 7W 880 920 nm,GJ 9034 Mp=15W 880 920 nm,光谱辐射带宽,GJ 9031 如……
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